X'inhu l-Ossiġenu-Ram Ħieles
Ir-ram ħieles mill-ossiġnu-huwa ram li ġie mdewweb u mitfugħ taħt kundizzjonijiet li jżommu l-ossiġnu barra mill-metall, aktar milli ram li jkun ġie deossidizzat b'żieda reattiva. Id-distinzjoni hija importanti: ir-ram iebes-pitch fih ossiġnu bħala partiċelli ta' ossidu mxerrda, u ram fosfru-deossidizzat fih fosfru maħlul, filwaqt li ram-ħieles mill-ossiġnu ma fih l-ebda wieħed b'mod sinifikanti. Ir-riżultat huwa metall ta 'purità għolja ħafna li jżomm konduttività għolja, iwweldja mingħajr fraġilità u jirrilaxxa ftit gass meta jissaħħan fil-vakwu.
TU3 hija d-denominazzjoni użata fis-sistema tar-ram maħdum -Ċiniż, u C10200 huwa l-grad UNS korrispondenti, komunement deskritt bħala OF jew ram ta 'konduttività għolja-ħieles mill-ossiġnu-. Fil-prattika, iż-żewġ denominazzjonijiet jintużaw b'mod interkambjabbli f'mistoqsijiet kummerċjali, iżda l-purità u l-limiti tal-ossiġnu ddikjarati fiż-żewġ sistemi mhumiex identiċi, għalhekk ir-rekwiżiti tal-istandard imsemmi fuq l-ordni jirregolaw il-materjal ikkunsinnat.
Rekwiżiti ta' Kompożizzjoni u Tqabbil tal-Gradi
| Grad | Denominazzjoni | Kontenut tar-ram | Ossiġenu | Karattru |
|---|---|---|---|---|
| TU1 | Sistema Ċiniża | 99.97 % min | Baxxa ħafna | L-ogħla grad ta'-ossiġnu ta' purità- |
| TU2 | Sistema Ċiniża | 99.95 % min | Baxxa ħafna | Grad standard ta' ossiġnu-free |
| TU3 | Sistema Ċiniża | 99.90 % min | Baxxa ħafna | Grad mingħajr spiża-ossiġnu-effettiv |
| C10100 | UNS | 99.99 % min | 0.0005 % max | Grad elettroniku bla ossiġnu- |
| C10200 | UNS | 99.95 % min | 0.001 % max | Grad-ħieles mill-ossiġnu |
| C11000 | UNS | 99.90 % min | Ossiġenu residwu preżenti | Żift iebsa, mhux ħieles mill-ossiġnu- |
Żewġ punti għandhom jinqraw bir-reqqa minn din it-tabella. L-ewwel hija li l-limiti tal-purità Ċiniżi u Amerikani ma jallinjawx il-grad għall-grad: TU3 f'99.90 % minimu huwa pass taħt C10200 f'99.95 % minimu f'termini ta 'purità, anke jekk it-tnejn huma spiss ittrattati bħala ekwivalenti. It-tieni hija li l-ossiġnu-ħieles hija dikjarazzjoni dwar il-kontenut tal-ossiġnu, mhux dwar il-grad elettriku biss; C10100 u C10200 huma t-tnejn ħielsa mill-ossiġnu-, iżda C10100 jimponi limitu ħafna aktar strett fuq l-ossiġnu u fuq it-total tal-elementi l-oħra kollha.
Id-dokumenti li jirregolaw huma GB/T 5231 għal ram maħdum u ligi tar-ram fis-sistema Ċiniża, ASTM B152 għal pjanċa, folja, strixxa u bar irrumblat u ASTM B170 għal ram elettrolitiku ħieles mill-ossiġnu-fis-sistema Amerikana, b'EN 1412 u l-istandards tal-prodott EN korrispondenti użati għal ordnijiet Ewropej.
Proprjetajiet Fiżiċi, Elettriki u Mekkaniċi
| Proprjetà | Valur tipiku | Ikkummenta |
|---|---|---|
| Densità | 8.93 g/ċm³ | F'20 grad |
| Konduttività elettrika | 100 % IACS u aktar | Kondizzjoni ittemprat; fost l-ogħla tal-metalli kummerċjali kollha |
| Konduttività termali | madwar 390 W/(m·K) | F'20 grad |
| Firxa tat-tidwib | madwar 1083 grad | Bażi tar-ram |
| Modulu ta 'elastiċità | madwar 117 GPa | Tensjoni |
| Saħħa tat-tensjoni, temper artab | 200–250 MPa | Temper dipendenti |
| Titwil, temper artab | 40 % u aktar | Temper dipendenti |
| Rata ta' ħruġ tal-gass | Baxxa ħafna | Adattat għas-servizz ta' apparat vakwu u elettroni- |
| Fraġilità tal-idroġenu | Mhux suxxettibbli | Ebda partiċelli ta 'ossidu preżenti |
Minħabba li l-metall huwa tant pur, il-proprjetajiet mekkaniċi tiegħu huma kkontrollati kważi kompletament bit-tempera aktar milli bil-liga. Materjal artab-ittemprat huwa duttili u formabbli; It-temper maħdum-kiesaħ jgħolli s-saħħa u l-ebusija filwaqt li jnaqqas it-titwil. L-istandard tal-prodott għall-forma speċifika u t-temper jagħti s-saħħa minima tat-tensjoni, it-titwil u d-daqs tal-qamħ, u l-valuri taċ-ċertifikat għandhom jiġu kkontrollati ma 'dik it-tabella aktar milli ma' figuri ġeneriċi.
Għaliex il-konduttività u l-ossiġnu baxx jimpurtaw flimkien
L-impuritajiet maħlul iferrxu l-elettroni, għalhekk kull element preżenti f'soluzzjoni solida inaqqas il-konduttività. Il-fidda, li hija l-impurità komuni waħda li ma tiddegradax il-konduttività, tingħadd mar-ram. L-ossiġnu huwa differenti: fir-ram iebes-pitch jeżisti fil-biċċa l-kbira bħala partiċelli tal-ossidu, u għalkemm dawk il-partiċelli wkoll inaqqsu l-konduttività xi ftit, l-aktar problema serja hija r-reazzjoni tagħhom mal-idroġenu f'temperatura elevata. Ir-ram ħieles mill-ossiġnu-ineħħi ż-żewġ problemi f'daqqa, u huwa għalhekk li l-grad huwa speċifikat kull fejn ir-ram irid jgħaqqad il-konduttività massima mal-iwweldjar, l-ibbrejżjar jew is-servizz tal-vakwu ta'-temperatura għolja.
Ir-rata baxxa ta 'ħruġ tal-gass hija t-tieni konsegwenza tal-purità tal-grad u l-kontenut baxx ta' ossiġnu, u hija r-raġuni li r-ramm ħieles mill-ossiġnu-jintuża għall-komponenti tal-kamra tal-vakwu, strutturi ta 'aċċellerazzjoni u partijiet tal-apparat tal-elettroni-. F'dawn id-dmirijiet il-materjal m'għandux jirrilaxxa gass fi spazju evakwat, u ram b'kontenut baxx ta 'gass residwu huwa l-għażla prattika.
Ipproċessar u Fabbrikazzjoni
Ir-ram ħieles mill-ossiġnu-jinħadem fil-kesħa faċilment permezz ta' tpinġija, irrumblar, liwi u tpinġija fil-fond, b'anneals intermedji skedati hekk kif ix-xogħol-jibni l-ebusija. Jista 'jiġi ssaldjat, ibbrejżjat u wweldjat bl-użu tal-proċessi standard tar-ram, u brazes partikolarment b'mod nadif minħabba li m'hemmx partiċelli ta' ossidu biex jirreaġixxu ma 'l-atmosfera tal-forn. It-ttemprar isir f'atmosfera kkontrollata jew li tnaqqas, u minħabba li l-grad ma fih l-ebda ossiġnu m'hemm l-ebda riskju ta' fraġilità li taffettwa ram iebes-pitch fl-istess forn.
L-indafa tal-wiċċ hija kritika fix-xogħol tal-elettriku u tal-vakwu. L-uċuħ tar-ram jossidaw bil-mod f'temperatura tal-kamra u malajr meta jissaħħnu fl-arja, għalhekk il-partijiet li se jingħaqdu permezz tal-iwweldjar, l-ibbrejżjar jew it-twaħħil tad-diffużjoni huma normalment imnaddfa u, fejn l-applikazzjoni titlob dan, protetti jew ipproċessati fil-pront. Marki tal-immaniġġjar, ħadid inkorporat minn għodda u marki tas-swaba' huma kollha sorsi ta' kontaminazzjoni li għandhom jitneħħew qabel ma tingħalaq ġonta vakwu jew ta'-konduttività għolja.
Applikazzjonijiet
Apparat tal-vakwu u tal-elettroni:inforri u komponenti tal-kamra tal-vakwu, strutturi li jaċċeleraw, partijiet magnetron u klystron, miri sputtering.
Kondutturi elettriċi:busbar, tubu tal-karozzi tal-linja, koljaturi tat-transformer, kondutturi tal-iswiċċjar u konnessjonijiet ta' kurrent għoli-.
Trażmissjoni u distribuzzjoni tal-enerġija:komponenti ta' substation u ġonot ta'-kurrent tqal fejn ir-reżistenza tal-ġogi trid tibqa' baxxa.
Impjant fotovoltajku u tal-batteriji:konnessjonijiet array u inverter, u materjal tabbing u busing tal-batterija.
Waveguides u komponenti ta'-frekwenza tar-radjufejn il-konduttività tal-wiċċ tirregola l-prestazzjoni.
Ħġieġ-għall--siġilli tal-metall u assemblaġġi brazedli jeħtieġu substrat nadif u ħieles mill-ossiġnu-.
Lista ta' Kontroll ta' Spezzjoni u Ordnijiet
Ordni ta' ram mingħajr ossiġnu-għandha tiddikjara l-grad kemm mid-denominazzjoni Ċiniża kif ukoll dik UNS fejn it-tnejn huma rilevanti, il-forma tal-prodott, it-tempera, id-dimensjonijiet u t-tolleranzi, u l-istandard li miegħu se jiġi spezzjonat il-materjal. L-ispezzjoni normalment tkopri l-analiżi kimika, inkluż it-total tal-elementi l-oħra kollha, determinazzjoni tal-ossiġnu, il-konduttività, il-proprjetajiet tat-tensjoni u tat-titwil, u d-daqs tal-qamħ; ġonot u partijiet tal-vakwu jistgħu jżidu tnixxija tal-elju jew eżami ultrasoniku fl-istadju tal-assemblaġġ.
L-iżball tal-ordni l-aktar frekwenti huwa li jiġu ttrattati d-diversi gradi ta' ossiġnu-ħieles bħala interkambjabbli. Jekk l-applikazzjoni teħtieġ il-purità ta 'TU1 jew il-limiti aktar stretti ta' ossiġnu u impurità ta 'C10100, l-ordni ta' TU3 jew C10200 se jwassal materjal li huwa ħieles mill-ossiġnu-iżda mhux għall-purità meħtieġa. Il-grad korrett u l-istandard korrett għandhom it-tnejn jidhru fuq l-inkjesta, u ċ-ċertifikat għandu jinqara mat-tabella t-tajba.
FAQ
Q: TU3 huwa l-istess bħal C10200?
Huma l-eqreb ekwivalenti fis-sistemi rispettivi tagħhom, iżda l-limiti tal-purità huma differenti: TU3 jeħtieġ 99.90 % minimu tar-ram, filwaqt li C10200 jeħtieġ 99.95 %. L-istandard imsemmi fuq l-ordni jirregola.
Q: X'inhu l-kontenut ta 'ossiġnu ta' ossiġnu-ram ħieles?
- Speċifikazzjonijiet ASTM baxxi ħafna jillimitaw l-ossiġnu għal 0.001 % għal C10200 u 0.0005 % għal C10100. Il-kontenut baxx ta 'ossiġnu huwa dak li jipprevjeni l-fraġilità ta' l-idroġenu u jillimita l-ħruġ tal-gass.
Q: Għaliex tuża ossiġnu-ram ħieles minflok ram iebes-pitch?
Ir-ram iebes-pitch fih partiċelli ta' ossidu li jirreaġixxu ma' l-idroġenu f'temperatura għolja u jaqtgħu l-metall. Weldjaturi tar-ram mingħajr ossiġnu-, brazes u ttemprar-vakwu mingħajr dak ir-riskju, filwaqt li żżomm il-konduttività f'100 % IACS jew aktar.
Q: Kemm huwa konduttiv ir-ram C10200?
Ir-ram ħieles mill-ossiġnu ittemprat-tilħaq 100 % IACS jew ftit 'il fuq, flimkien ma' konduttività termali ta' bejn wieħed u ieħor 390 W/(m·K), li jpoġġih fost l-aktar metalli kummerċjali konduttivi disponibbli.
Q: Jista' jiġi wweldjat ir-ram ħieles mill-ossiġnu-?
Iva. Huwa wweldjat u ibbrejżjat bil-proċessi standard tar-ram, u l-ħelsien tiegħu minn partiċelli ta 'ossidu jagħmel il-ġonot tal-ħoss aktar faċli biex jinkisbu milli f'ram iebes-pitch.
Q: Fejn jintuża r-ram TU3 C10200?
Fil-vakwu u l-komponenti tal-apparat tal-elettron-, busbar ta' konduttività għolja-u partijiet tal-kondutturi, ġonot elettriċi, konnessjonijiet fotovoltajċi u tal-batteriji, u assemblaġġi brazed li jitolbu sottostrat nadif u baxx tal-ossiġnu-.
