Introduzzjoni Materjali
Ram C1 mingħajr ossiġnu 0 200 huwa materjal tar-ram pur b'kontenut ta 'ossiġnu estremament baxx (inqas minn jew daqs 0.001%), li jirrealizza aktar minn 99.95% purità tar-ram permezz ta' proċess ta 'deossidazzjoni strett, u jikkombina l-konduttività elettrika eċċellenti u l-karatteristiċi ta' l-embrittlement kontra l-idroġenu. Il-mikrostruttura tagħha mingħajr inklużjonijiet ossidizzati fil-konfini tal-qamħ tagħmilha għażla ideali għal komponenti elettroniċi high-end, tagħmir tal-vakwu u trasportaturi superkonduttivi, speċjalment għal trasmissjoni ta 'sinjal ta' preċiżjoni għolja u servizz stabbli f'ambjenti estremi.
Kompożizzjoni kimika u vantaġġ ta 'purità
C1 0 200 huwa magħmul minn ram elettrolitiku, b'kontenut ta 'ram (Cu) akbar minn jew daqs 99.95% u impuritajiet totali inqas minn jew daqs 0.04%, li minnhom l-ossiġenu (O) inqas minn jew daqs 10ppm, fosfru (P) inqas minn jew daqs 3ppm, sulfur (s) inqas minn 5ppm. It-tidwib bil-vakwu u l-proċess ta 'protezzjoni tal-gass inerti jeliminaw kompletament ir-riskju ta' preċipitazzjoni ta 'ossidu cuprous (CU₂O), jevita l-embrittlement ta' l-idroġenu, u jiżgura l-konsistenza tal-wiċċ u interna tal-materjal anke waqt il-proċess ta 'ttremprar jew kisi ta' temperatura għolja. Tiżgura li l-materjal għadu jżomm il-konsistenza tal-wiċċ u interna waqt ttremprar jew plating ta 'temperatura għolja.
Propjetajiet Mekkaniċi: Adattabilità Multi-Scenario
Stat artab (stat ittemprat): saħħa tat-tensjoni akbar minn jew daqs 200MPa, titwil akbar minn jew daqs 45%, tista 'faċilment tirrealizza tpinġija profonda, stralċ u iffurmar kumpless ieħor;
Stat iebes (stat ta 'ħidma kiesħa): Wara aktar minn 70% deformazzjoni kiesħa, is-saħħa tat-tensjoni hija miżjuda għal aktar minn jew daqs 400MPa, u l-ebusija hija sa HV 110-130, li tissodisfa r-rekwiżiti ta' riġidità ta 'konnetturi ta' preċiżjoni u frejms taċ-ċomb;
Stabbiltà ta 'temperatura għolja: rata ta' żamma ta 'konduttività ta'> 99% f'ambjent ta '200 grad, temperatura kontra t-trażżin minn ram ordinarju biex ittejjeb aktar minn 50 grad.
Proċess ta 'Produzzjoni: Garanzija doppja ta' purità u preċiżjoni.
It-tidwib tal-induzzjoni bil-vakwu (VIM) u l-proċess ta 'l-ikkastjar kontinwu taċ-ċomb huma adottati, bi preċiżjoni tal-kontroll tal-kontenut ta' ossiġnu ta '± 2ppm, flimkien ma' raffinar elettrolitiku f'diversi stadji biex jitneħħa l-kubrit, il-ħadid u impuritajiet oħra. Stadju rolling kiesaħ b'pass multipli ta 'rolling żgħir ta' pressjoni żgħira (deformazzjoni ta '5% -10% / darbiet), flimkien ma' ttremprar ta 'atmosfera protettiva ({{450-550 grad) biex telimina t-tgħawwiġ tal-kannizzata. Il-prodotti lesti huma ttestjati permezz ta 'skoperta ta' difetti kurrenti eddy u spezzjoni metallografika, u l-grad tad-daqs tal-qamħ jilħaq ASTM 8-10 biex jiżgura l-uniformità tal-mikrostruttura.
Karatteristiċi tal-materjal: Appoġġ ewlieni għal aġġornamenti teknoloġiċi
Konduttività aħħarija: konduttività ikbar minn jew daqs 101% IACs (standard internazzjonali tar-ram ittemprat), telf ta 'trasmissjoni tas-sinjal imnaqqas bi 30%;
Penetrazzjoni kontra l-idroġenu: koeffiċjent ta 'diffużjoni ta' l-idroġenu inqas minn jew daqs 1 × × {{2} ¹² m² / s, evita l-ikkrekkjar ta 'l-idroġenu, adattat għall-apparat ta' fużjoni nukleari ta 'l-platting tal-ħajt ta' ġewwa;
Kompatibilità bil-vakwu: Rata ta 'Outgassing<5×10-¹⁰ Torr-L/(s-cm²), meeting the requirements of spacecraft vacuum chamber seals;
Finitura tal-wiċċ: Ħruq illustrat RA inqas minn jew daqs 0. 1μm, Welding Laser Fond ta 'Devjazzjoni tal-Konsistenza tal-Fużjoni<3%.
[Xenarji ta 'Applikazzjoni: Kopertura sħiħa minn Micron għal Kilometru Livell].
Preċiżjoni Elettronika: 5G Station Base Waveguide, Chip Package Lead, biex tirrealizza trasmissjoni mingħajr telf ta '40GHz ta' sinjali ta 'frekwenza għolja;
Rivoluzzjoni tal-enerġija: koljaturi tal-kalamita superkonduttiva, pjanċi bipolari taċ-ċellula tal-fjuwil tal-idroġenu, reżistenti għal -269 grad likwidu ambjent tal-elju u mezz aċiduż;
Tagħmir mediku: CT Machine X-Ray Tube ANODE Miri, wajers robotiċi kirurġiċi, li jiggarantixxu 100, 000 ċikli mingħajr degradazzjoni tal-prestazzjoni;
Manifattura high-end: miri ta 'sputtering semikondutturi, sors ta' evaporazzjoni tal-kisi ottiku, purità biex tissodisfa l-bżonnijiet ta '99.999% grad ta' deposizzjoni ta 'film irqiq;
Apparat ta 'Riċerka Xjentifika: Kamra tal-Vakwu tal-Pedala tal-Gass tal-Partiċelli, Reattur tal-Fużjoni L-Ewwel Materjali tal-Ħajt, biex jinkiseb 10- ⁸ PA Livell ta' Siġill tal-Vakwu ultra-għoli.
[Outlook tal-Industrija: splużjoni inkrementali mmexxija minn produttività ta 'kwalità ġdida]
Id-daqs globali tas-suq tar-ram high-end huwa mistenni li jaqbeż it-22 biljun dollaru Amerikan fl-2028, li r-ram ħieles mill-ossiġnu kien jammonta għal aktar minn 25%. "L-14-il Pjan ta 'Ħames Snin" taċ-Ċina elenka b'mod ċar materjali tal-metall ta' purità għolja bħala industrija emerġenti strateġika, OFC10200 fit-tliet binarji ewlenin ikomplu jgħaddu:
Qasam Pan-Semikondutturi: bil-produzzjoni tal-massa taċ-ċippa 3NM u l-espansjoni tal-produzzjoni tas-semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni, materjali fil-mira u rata ta 'tkabbir annwali tad-domanda tal-linja ta' twaħħil ta '18%;
Infrastruttura ta 'enerġija ġdida: tagħmir ta' trasmissjoni ta 'enerġija b'vultaġġ ultra-għoli (rekwiżiti ta' telf<0.1%) and solid hydrogen storage tank gallons pulling tons of procurement;
Difiża u Aerospazjali: Sistema ta 'Protezzjoni Termika tal-Vettura Ipersonika, apparati microwave bis-satellita biex tippromwovi l-limitu tat-temperatura tal-materjal għal 600 grad.
Minkejja li qed tiffaċċja varjazzjonijiet fil-prezz tar-ram u pressjoni ta 'sostituzzjoni tar-ram riċiklata, OFC10200 se jkompli jiddomina x-xenarji ta' applikazzjoni b'valur miżjud għoli bil-proprjetajiet fiżiċi insostitwibbli u l-ostakli tal-proċess. Fil-futur, coils superkonduttivi tal-komputazzjoni kwantistika, mikroelettrodi tal-interface tal-moħħ-kompjuter u żoni oħra ta 'l-aktar vantaġġ, se jiftħu mijiet ta' biljuni ta 'suq inkrementali.
